一、项目概况
项目名称:无锡半导体制造企业废气处理系统工程
处理风量:30000m³/h
项目地点:江苏无锡
废气来源:
- 光刻/显影:光刻胶挥发产生异丙醇(IPA)、丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA)等VOCs。
- 蚀刻/清洗:氢氟酸(HF)、氯气(Cl₂)、氨气(NH₃)等酸性及碱性气体。
- 薄膜沉积:硅烷(SiH₄)、氟碳化合物(如CF₄、SF₆)等高危气体。
- 封装测试:环氧树脂固化过程中释放的苯系物、有机胺类。
- 产品清洗 :异丙醇
废气特性:
- 成分复杂:含VOCs(浓度50-1000 mg/m³)、酸性气体(HF≤50 ppm)、硅烷(爆炸极限2.5%-82%)及超细颗粒物(PM0.1)。
- 排放波动大:间歇性高浓度排放(如设备启停阶段)与低浓度持续排放并存。
- 高危性:硅烷遇空气自燃,HF强腐蚀性,部分VOCs易燃易爆。
二、处理目标与法规依据
1. 处理目标:
- 污染物去除率:VOCs≥99%,HF、Cl₂≥99.9%,硅烷(SiH₄)彻底分解。
- 排放限值:满足《电子工业污染物排放标准》(GB39731-2020)及地方标准(如上海市DB31/374-2006),非甲烷总烃(NMHC)≤20 mg/m³,HF≤0.1 mg/m³。
2. 法规依据:
- 国家标准:GB39731-2020、GB16297-1996(大气污染物综合排放标准)。
- 地方要求:重点区域(如长三角)执行特别排放限值,NMHC≤10 mg/m³。
- 行业规范:SEMI S2/S8(半导体制造环境健康与安全标准),强调废气密闭收集与实时监测。
三、处理技术方案设计
1. 整体工艺路线
废气产生点 → 分类集气系统 → 预处理单元 → 核心处理单元 → 深度净化单元 → 在线监测 → 达标排放
2. 关键工艺详解
(1)分类收集与预处理
- 收集系统:
- 局部排风:在光刻机、蚀刻机等产污设备上方设置密闭集气罩,捕集效率≥95%。
- 管道网络:采用316L不锈钢材质,内壁经PTFE涂层处理,防止HF腐蚀。
- 预处理单元:
- 硅烷安全处理:
- 局部燃烧塔:硅烷废气通过真空管道直接接入POU端燃烧装置,在1100-1200℃高温下分解为SiO₂和H₂O,配备防回火装置与泄爆片。
- 惰性气体稀释:未完全燃烧的硅烷通过氮气稀释至爆炸下限以下,再接入中央处理系统。
- 颗粒物与水分去除:
- 干式过滤:采用高效玻璃纤维过滤器,拦截≥1μm颗粒物。
- 冷凝回收:对高沸点VOCs(如PGMEA)进行深冷处理(-20℃),冷凝液回用于生产,减少后续处理负荷。
- 酸性气体中和:
- 两级碱洗塔:一级塔采用NaOH溶液(pH=12-13)去除HF,二级塔用Na₂S溶液(pH=8-9)处理Cl₂,液气比3-5 L/m³,填料为大比表面积陶瓷,接触时间延长30%。
(2)核心处理工艺
- 有机废气处理(VOCs):
- 沸石转轮吸附浓缩:
- 浓缩倍数:15-20倍,将低浓度废气(50-200 mg/m³)浓缩至800-1000 mg/m³。
- 脱附再生:180℃热空气循环脱附,脱附风量为处理风量的1/15,降低能耗。
- 蓄热式热力氧化(RTO):
- 焚烧温度:760-850℃,停留时间≥1.0秒,净化效率≥99%。
- 热能回收:陶瓷蓄热体回收率≥95%,余热用于预热新风或工艺加热。
- 特殊气体处理:
- 氟碳化合物(PFCs):采用等离子体催化氧化(PCO)技术,通过TiO₂/石墨烯复合催化剂降解,能耗降低30%。
- 氨气(NH₃):通过硫酸喷淋塔中和,生成硫酸铵溶液,可作为化肥原料回收。
(3)深度净化与达标排放
- 活性炭纤维吸附:对残余VOCs(≤5 mg/m³)及微量HF进行精处理,吸附容量较传统活性炭提升20%-30%。
- 高效过滤器:采用HEPA过滤PM0.1超细颗粒,效率≥99.97%。
- 烟囱排放:高度≥25米,出口安装在线监测设备,实时传输数据至环保平台。
四、实施效果与验证
1. 处理效率与排放数据:
- VOCs:进口浓度300 mg/m³ → 出口≤5 mg/m³,去除率≥98.3%。
- HF:进口浓度10-50 ppm → 出口≤0.1 mg/m³,脱除率>99%。
- 硅烷(SiH₄):分解率100%,排放浓度未检出。
- 颗粒物:PM0.1≤1.2 mg/m³,符合全球半导体行业最严标准。
2. 第三方检测报告:
- 由第三方省生态环境监测中心(CMA资质)出具,所有指标满足GB39731-2020及地方特殊要求。
本项目酸性废气处理中使用了二级PP喷淋塔净化处理,整套方案为我公司的全流程设计,成功解决了芯片制造废气成分复杂、高危性强、排放波动大的治理难题,为半导体行业提供了可复制的标杆案例。废气治理将向“近零排放+资源循环”的更高目标迈进,助力企业实现环保合规与经济效益的双重提升。